Конфигуратор
компьютера
8-800-200-34-84 Контакты
Каталог Акции Новости О компании Вакансии Контакты
Конфигуратор компьютера

Накопитель SSD 2,5" 250GB Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW) Retail (560/530МБ/сек, 98K/88.8K IOPS, SATA600, 3D TLC, TBW 150)

Накопитель SSD 2,5" 250GB Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW) Retail (560/530МБ/сек, 98K/88.8K IOPS, SATA600, 3D TLC, TBW 150)
Артикул: КА-00117833
Артикул производителя: MZ-77E250BW
Коротко о товаре
Артикул MZ-77E250BW
Производитель Samsung
Объем жесткого диска, GB 250
Линейка 870 EVO Series
Контроллер SSD Samsung MGX (2-core ARM Cortex R4 550MHz)
5 990 ₽
В наличии: шт. Под заказ: шт.
Рассчитать доставку
Доставка товаров "Под заказ"
до Тюмени 7-10 дней
Характеристики

Характеристики Накопитель SSD 2,5" 250GB Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW) Retail (560/530МБ/сек, 98K/88.8K IOPS, SATA600, 3D TLC, TBW 150)

Артикул MZ-77E250BW
Производитель Samsung
Объем жесткого диска, GB 250
Линейка 870 EVO Series
Контроллер SSD Samsung MGX (2-core ARM Cortex R4 550MHz)
Объём кэша 512MB LPDDR4 cache
Толщина диска/SSD Ultra-slim 7мм
Подгруппа товара 2,5"
Особенности комплектации TRIM, AES 256 bit
Срок гарантии 12 мес.
Ресурс накопителя (TBW), ТБ 150
Тип памяти 3D V-NAND (64-layer TLC)
Запись блоками по 4К, IOPS 88800
Модель (MZ-77E250BW)
Скорость чтения SSD, МБ/сек 560
Тип поставки Retail
Скорость записи SSD, МБ/сек 530
Тип интерфейса HDD SATA600
Код производителя MZ-77E250BW
Чтение блоками по 4К, IOPS 98000
Интерфейс HDD SerialATA
Накопитель SSD 2,5" 250GB Samsung 870 EVO (MZ-77E250BW) Retail (560/530МБ/сек, 98K/88.8K IOPS, SATA600, 3D TLC, TBW 150)

Описание от chatGPT

Накопитель SSD 2,5" SerialATA 250 GB Samsung 870 EVO Series (MZ-77E250BW) Retail имеет множество преимуществ и плюсов, которые делают его одним из лучших выборов для хранения данных. 1. Быстродействие: скорость чтения 560 МБ/сек и записи 530 МБ/сек, а также 98000 IOPS для чтения и 88800 IOPS для записи, делают этот накопитель одним из самых быстрых на рынке.2. Кэш-память: наличие 512 МБ LPDDR4 кэш-памяти ускоряет процесс чтения и записи данных, что улучшает производительность накопителя.3. 3D V-NAND: технология 3D V-NAND с 64-слойной TLC памятью обеспечивает более высокую плотность хранения данных и большую надежность.4. Samsung MGX: процессор Samsung MGX с двумя ядрами ARM Cortex R4 550 МГц обеспечивает высокую скорость работы и эффективное управление энергопотреблением.5. TRIM и AES 256 bit: поддержка технологии TRIM и шифрования AES 256 bit обеспечивают безопасность хранения данных и ускоряют процесс чтения и записи.6. TBW: жесткий накопитель имеет TBW (Total Bytes Written) до 150 ТБ, что делае

Наличие на складах

IT-мир по-русски
Новости в нашем Telegram
Подписаться